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Dynamics and Dissipation induced by Single-Electron Tunneling in Carbon Nanotube Nanoelectromechanical Systems

机译:碳纳米管中单电子隧穿引起的动力学和耗散   纳米管纳机电系统

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摘要

We demonstrate the effect of single-electron tunneling (SET) through a carbonnanotube quantum dot on its nanomechanical motion. We find that the frequencyresponse and the dissipation of the nanoelectromechanical system (NEMS) to SETstrongly depends on the electronic environment of the quantum dot, inparticular on the total dot capacitance and the tunnel coupling to the metalcontacts. Our findings suggest that one could achieve quality factors of10$^{6}$ or higher by choosing appropriate gate dielectrics and/or by improvingthe tunnel coupling to the leads.
机译:我们展示了通过碳纳米管量子点的单电子隧穿(SET)对其纳米机械运动的影响。我们发现,纳米机电系统(NEMS)对SET的频率响应和耗散强烈取决于量子点的电子环境,特别是总点电容和耦合至金属触点的隧道。我们的发现表明,通过选择合适的栅极电介质和/或通过改善与引线的隧道耦合,可以达到10 ^ {6} $或更高的品质因数。

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